談完LOD Effect,就不得不再談談WPE。
在先進半導體製程中,除了LOD (Length of Diffusion) Effect外,另一個常被提到的問題就是Well Proximity Effect,簡稱WPE,中文叫"井鄰近效應"。白話一點來說,是靠近井(Well)所造成的效應。
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2008年9月28日 星期日
2008年9月14日 星期日
2008年9月7日 星期日
Introduction to LOD Effect (下)
在Introduction to LOD Effect (上)一文中,已經簡單的介紹LOD (Length of Diffusion) Effect,接著來談談如何降低LOD Effect對電路的影響。LOD Effect有兩個重要參數SA、SB,由前文得知我們可以預先估計SA、SB的長度代入模擬中,這樣就可以精確的把LOD Effect考慮進去。不過實際電路設計時,你無法很準確的估計每個Device的SA(SB),尤其是Analog Circuit Layout上,還需考慮許多對稱的問題。所以一般我們只預估重要設計(Critical Block)裡面的SA(SB),再利用Layout上的技巧來降低LOD Effect對電路的影響。(註一)
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